Оперативная память Patriot

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 18T, тайминги 18-18-18-43, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 7600 МГц, CL 36T, тайминги 36-48-48-84, напряжение 1.45 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-35, напряжение 1.2 В

48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 7600 МГц, CL 36T, тайминги 36-48-48-84, напряжение 1.45 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6600 МГц, CL 34T, тайминги 34-40-40-84, напряжение 1.4 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-39, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 8 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-76, напряжение 1.25 В

двухканальный (2 модуля), частота 1600 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.5 В

частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 10-10-10-27, напряжение 1.5 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.1 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-40-40-84, напряжение 1.4 В

48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-76, напряжение 1.35 В

частота 1600 МГц, напряжение 1.35 В