Оперативная память Patriot

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-39, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6800 МГц, CL 34T, тайминги 34-44-44-84, напряжение 1.4 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 19T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 4000 МГц, CL 20T, тайминги 20-26-26-46, напряжение 1.4 В

8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 42T, тайминги 42-42-42-84, напряжение 1.1 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6600 МГц, CL 34T, тайминги 34-40-40-84, напряжение 1.4 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 4000 МГц, CL 20T, тайминги 20-26-26-46, напряжение 1.4 В

двухканальный (2 модуля), частота 1866 МГц, CL 10T, тайминги 10-11-10-30, напряжение 1.5 В

частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-20-20-40, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.1 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 4000 МГц, CL 20T, тайминги 20-26-26-46, напряжение 1.4 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 20T, тайминги 20-26-26-46, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.1 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В

частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В