Найдено 395 товаров
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер TenaFe TC2200, SLC-кэш
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер TenaFe TC2200, SLC-кэш
1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5021-E21-48, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 5000/3600 MBps
1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5021-E21-48, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 5000/3600 MBps
3.84 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/31000 IOps
3.84 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/31000 IOps
3.84 ТБ, 2.5", U.2 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6650/3200 МБайт/с, случайный доступ: 1100000/180000 IOps
3.84 ТБ, 2.5", U.2 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6650/3200 МБайт/с, случайный доступ: 1100000/180000 IOps
1.92 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2), микросхемы TLC, последовательный доступ: 5500/1600 МБайт/с, случайный доступ: 300000/75000 IOps
1.92 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2), микросхемы TLC, последовательный доступ: 5500/1600 МБайт/с, случайный доступ: 300000/75000 IOps
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
2.5", SATA 3.0, микросхемы TLC, последовательный доступ: 505/410 MBps
2.5", SATA 3.0, микросхемы TLC, последовательный доступ: 505/410 MBps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3500/2100 МБайт/с, случайный доступ: 150000/200000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3500/2100 МБайт/с, случайный доступ: 150000/200000 IOps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер MaxioTech MAP1602A, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4500/2500 МБайт/с, случайный доступ: 150000/300000 IOps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер MaxioTech MAP1602A, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4500/2500 МБайт/с, случайный доступ: 150000/300000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/400 MBps, случайный доступ: 30000/50000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/400 MBps, случайный доступ: 30000/50000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Innogrit IG5236, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 7200/5500 МБайт/с
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Innogrit IG5236, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 7200/5500 МБайт/с
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 2900/1300 MBps, случайный доступ: 230000/320000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 2900/1300 MBps, случайный доступ: 230000/320000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps, случайный доступ: 40000/75000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps, случайный доступ: 40000/75000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/490 MBps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/490 MBps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5500 МБайт/с, случайный доступ: 650000/700000 IOps, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5500 МБайт/с, случайный доступ: 650000/700000 IOps, совместимость с PS5
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/450 MBps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/450 MBps
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 3500/2400 МБайт/с, случайный доступ: 220000/500000 IOps
500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 3500/2400 МБайт/с, случайный доступ: 220000/500000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6000/5000 МБайт/с, SLC-кэш, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6000/5000 МБайт/с, SLC-кэш, совместимость с PS5