Оперативная память

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В

2 модуля, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 7200 МГц, CL 34T, тайминги 34-42-42-84, напряжение 1.4 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-96, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-40-40-84, напряжение 1.4 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.5 В

4 модуля, частота 3600 МГц, CL 17T, тайминги 17-21-21, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17-39, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 4000 МГц, CL 20T, тайминги 20-26-26-46, напряжение 1.4 В

частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45, напряжение 1.1 В