Найдено 9 товаров
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Phison PS5016-E16, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/2500 MBps, случайный доступ: 400000/550000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Phison PS5016-E16, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/2500 MBps, случайный доступ: 400000/550000 IOps
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/1200 МБайт/с
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/1200 МБайт/с
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/380 MBps, случайный доступ: 50000/60000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/380 MBps, случайный доступ: 50000/60000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14500/12700 МБайт/с, DRAM-буфер
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14500/12700 МБайт/с, DRAM-буфер
500 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2300/1500 MBps, случайный доступ: 60000/240000 IOps
500 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2300/1500 MBps, случайный доступ: 60000/240000 IOps
500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3600/3000 МБайт/с
500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3600/3000 МБайт/с
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/500 MBps, случайный доступ: 80000/85000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/500 MBps, случайный доступ: 80000/85000 IOps
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14100/12600 МБайт/с, DRAM-буфер
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14100/12600 МБайт/с, DRAM-буфер
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4000/3900 МБайт/с
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 4000/3900 МБайт/с